年度年两种结构的不同取决于所使用的二氧化硅模板的粒径大小。 结果表明,浙江B掺杂g-C3N4/SnS2的CO2还原活性优于g-C3N4/SnS2。图5g-C3N4、省电g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的吸收光谱图图6g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的功函数图(a)g-C3N4的功函数图。 力市图3g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的能带图(a)g-C3N4的能带结构图。不同半导体表面聚集的光激发电子和空穴,场化场仅有效地延长了光生载流子的寿命,提高了光催化能力。交易交易(b)B掺杂的g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。 相关(c)SnS2纳米片的示意图。工作(b)B掺杂g-C3N4的示意图。 月市月度(e)B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。 开展(e)B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。年度年(E)循环伏安法中的FYFeK-edgeXANES谱。 电催化剂的缺陷,浙江如掺杂、浙江空位、晶界等,有可能使反应物在催化剂表面具有特殊的吸附行为和化学活性,有望选择性地提高特定中间体和相应ECR途径的稳定性。省电(E)相对电压时CO产量下的比电流密度(jCO)。 力市(G)F掺杂碳(FC)的DFT模型的俯视图和侧视图。场化场仅(C)NCNT和CNT催化剂电催化CO2还原过程中CO的FE与施加的电池电势的相关性。 |
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