代替原有的电源,刘科历城实现对便携式的无源系统。 任市任钢4-3牺牲金属镀层石墨烯生长方法图9使用牺牲金属涂层方法在玻璃上生长石墨烯a)牺牲金属镀层法在石英上生长石墨烯的示意图。石墨烯在Cu上生长的基本步骤包括金属催化的CH4分解、中区Cu上碳原子的快速迁移,中区能垒为≈0.06eV,石墨烯在Cu缺陷和晶界处成核,以及Cu原子催化的畴区扩展生长。 b-d)光学显微镜图像,委书委书显示石英基底上450nm厚的Cu镀层的形貌演变,生长时间从15,60增加到420分钟。对于普通玻璃,记张军任记如钠钙玻璃,其软化点远低于低于石墨烯的生长温度,则发展了熔融床CVD技术。区委b)此方法所得到的石墨烯薄膜的TEM图像。 书记e)石墨烯玻璃基触摸屏工作实物照片。主要从事纳米碳材料、郅颂二维原子晶体材料和纳米化学研究,发表学术论文逾500篇,获授权中国发明专利30项。 城区c)在熔融玻璃(红色柱)和石英玻璃(蓝色柱)上生长的石墨烯的畴区尺寸分布。 c)石英玻璃上生长的石墨烯薄膜的光学透过率光谱,刘科历城在550nm下的光学透过率为96.3%。目前用于N2还原制备NH3所报道的催化剂(Au、任市任钢Pt/C、Ru、Mo、Ag/Au、Bi4V2O/CeO2、Rh和Fe/CNT)种类有限。 (B-E)各种催化剂在不同电位处的NH3法拉第效率、中区NH3产率和分电流密度。委书委书2011年加入德国波鸿鲁尔大学(RuhrUniv.Bochum)MartinMuhler教授多相催化团队进行博士后研究。 (F)Ru@ZrO2/NC在10°C、记张军任记-0.21 V(相对于RHE)条件下的长期耐久性试验。此外,区委NH3产率相当低,转化率通常低于15%。 |
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